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NTD
Neutron Transmutation Doping
반도체 단결정을 중성자에 조사하여 전력용 반도체 소자용으로 사용되는 고품질 n형 반도체(NTD-반도체)를 생산
이용문의
박병건 선임연구원
하나로이용부
042-868-8871
주요특징
NTD1, NTD2 수직공 사용
5, 6, 8인치 Si 반도체 도핑
열중성자속 : 3.5 ~ 3.8×1013 n·cm-2s-1
활용분야(응용분야)
전력반도체용 실리콘 단결정
산업용 모터의 invertor, convertor 소재
고속철도, 전기차, 풍력, 태양광 전력변환장치
대표성과
5, 6 인치 반도체 도핑 능력 : 15톤 (연간)
8 인치 반도체 도핑 능력 : 20톤 (연간)
세계 최고의 조사 품질 보유